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可飽和吸收耦合輸出鏡SOC

可飽和吸收耦合輸出鏡SOC

除了可飽和吸收鏡SESAM,BATOP還提供一系列可飽和吸收鏡的相關産品,包括可飽和吸收耦合輸出鏡SOC, 共振可飽和吸收鏡RSAM,可飽和噪聲去除腔SANOS等。其中SOC是可飽和吸收鏡(SAM)和輸出耦合器的組合,目前BATOP的SOC耦合輸出鏡主要分為1040nm,1064nm和2000nm三種标準品系列,弛豫時間從1ps至20ps不等。BATOP可飽和吸收輸出鏡SOC能作為激光輸出元件用于固态的被動鎖模激光器。

所屬品牌: 德國BATOP

應用類型:

産品型号:SOC-1040-2-3-1ps-x

負責人:劉工
聯系電話:18823810067 電子郵箱:sales@welloptics.cn

規格書下載 添加到詢價單



                                1040/1064/2000nm,弛豫時間1~20ps可飽和吸收耦合輸出鏡SOC

 

德國BATOP GmbH總部位于德國光谷——耶拿,BATOP2003年成立以來一直專注于半導體非線性光學器件的發展,如用于激光器的可飽和吸收鏡,用于改善光學信号的可飽和噪聲抑制器,以及用于太赫茲生成和檢測的光電導天線。BATOP專注于在GaAs晶片上生長GaAs, AlAs, InAs材料的多層薄膜,并進行晶圓處理、器件封裝和測試,應用于各種光電器件之上。

德國BATOP專業生産制造各類可飽和吸收鏡,建立了可飽和吸收鏡标準品庫,其中可飽和吸收耦合輸出鏡SOC的型号主要以波長分類,其分為1040nm/1064nm/2000nm三種波段。 SOC耦合輸出鏡的結構是由一個可飽和吸收鏡SAM+輸出耦合器組成,能夠應用于固态或光纖鎖模激光器。

 

BATOP公司可飽和吸收鏡(Saturable Absorber)系列産品包括:

SAM(Saturable Absorber Mirror - 半導體可飽和吸收鏡

SOC(Saturable Output Coupler- 可飽和吸收耦合輸出鏡

SA(Saturable Absorber- 可飽和吸收體

RSAM(Resonant SAM- 共振可飽和吸收鏡

SANOS(Saturable Noise Suppressor- 可飽和噪聲去除腔

RSA(Resonant Saturable Absorber in transmission - 共振可飽和吸收體

 

SOCSaturable Output Coupler- 可飽和吸收耦合輸出鏡

使用可飽和輸出耦合器(SOC) ,可以設置自啟動、被動鎖模或調Q二極管泵浦的固體激光器或光纖激光器。在使用SOC代替SAM進行被動鎖模的情況下,可以通過激光腔的二向色端鏡提供光泵功率。其布局非常簡單。SOC是可飽和吸收鏡(SAM)和輸出耦合器的組合。

 

SOC命名規則:

型号:SOC-λ-A-T-τ-x,例如RSAM-1064-27-x

λ - laser wavelength - 波長

A - low intensity absorption - 吸收率

T - low intensity transmittance – 透過率

τ - absorber relaxation  - 弛豫時間

x - mounting condition & price –封裝基底&價格

x=0,無封裝的裸片

x=12.7g,粘在1/2英寸的銅柱上

x=25.4g,粘在1英寸的銅柱上

x=12.7S,焊在1/2英寸的銅柱上

x=25.4S,焊在1英寸的銅柱上

x=FC/PC,安裝在1米長光纖一端,接頭類型FC/PC或其他可選

x=FC/PC with TEC,安裝在1米長光纖一端,且帶TEC冷卻器

 

SOC可飽和吸收耦合輸出鏡的封裝底座&價格

以下為SOC鏡片裸片,鍍膜銅基底封裝,和光纖端口的價格:

SOC封裝底座選項

規格

價格

無封裝的SOC
x=5.0-0

Single chip unmounted

Chip area 5.0 mm x 5.0 mm

Chip thickness standard: 625 µmoptional: 150 µm

624

帶有封裝底座的SOC
x=5.0-12.7g

Chip area 5.0 mm x 5.0 mm

Glued on a copper heat sink with 12.7 mm diameter and 4 mm center hole

Chip thickness standard: 625 µmoptional: 150 µm

702

帶有封裝底座的SOC
x=5.0-25.4g

Chip area 5.0 mm x 5.0 mm

Glued on a copper heat sink with 25.4 mm diameter and 4 mm center hole

Chip thickness standard: 625 µmoptional: 150 µm

702

帶有光纖封裝的SOC

x=FC

SOC chip mounted on a single mode fiber cable with FC/PC connector

free space output beam

871

 

可飽和吸收耦合輸出鏡SOC的分類:

Wavelength region 1010 nm ... 1100 nm:   1040 nm | 1064 nm

Wavelength region 1980 nm ... 2020 nm:   2000 nm

 

1040nm SOC可飽和吸收耦合輸出鏡 規格型号:

SOC輸出耦合鏡型号

規格

SOC-1040-2-3-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=2 % Transmittance T=3 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-3-0.4-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=3 % Transmittance T=0.4 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-3-0.4-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=3 % Transmittance T=4 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-5-5-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=5 % Transmittance T=5 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-6-0.5-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=6 % Transmittance T=0.5 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-6-2-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=6 % Transmittance T=2 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-7-2-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=7 % Transmittance T=2 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-8-0.6-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=8 % Transmittance T=0.5 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-8-6-15ps-x

SOC:λ=1040 nmAbsorptance A=8 % Transmittance T=6 % Relaxation  τ=15 ps

SOC-1040-9-9-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=9 % Transmittance T=9 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-11-3-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=11 % Transmittance T=3 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-14-10-15ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=14 % Transmittance T =10% Relaxation  τ=15 ps

SOC-1040-17-5-1ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A=17 % Transmittance T=5 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1040-24-19-15ps-x

SOC:λ=1040 nm Absorptance A =24 % Transmittance T=19 % Relaxation  τ=15 ps

 

1064nm2000nm  可飽和吸收耦合輸出鏡SOC 規格型号:

SOC輸出耦合鏡型号

規格

SOC-1064-1-1-5ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =1 % Transmittance T =1 % Relaxation  τ=5 ps

SOC-1064-1.8-2.2-1ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =1.8 % Transmittance T =2.2 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1064-2-0.3-1ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =2 % Transmittance T =0.3 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1064-2.7-3.2-1ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =2.7 % Transmittance T =3.2 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1064-4-0.5-1ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =4 % Transmittance T =0.5 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1064-7-0.7-1ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =7 % Transmittance T =0.7 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1064-8-6-1ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =8 % Transmittance T =6 % Relaxation  τ=1 ps

SOC-1064-8-8-15ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =8 % Transmittance T =8 % Relaxation  τ=15 ps

SOC-1064-9-13-17ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =9 % Transmittance T =13 % Relaxation  τ=17 ps

SOC-1064-13-12-15ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =13 % Transmittance T =12 % Relaxation  τ=15 ps

SOC-1064-15-23-17ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =15 % Transmittance T =23% Relaxation  τ=17ps

SOC-1064-21-13-20ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =21 % Transmittance T =13 % Relaxation  τ=20 ps

SOC-1064-22-19-15ps-x

SOC:λ=1064nm Absorptance A =22 % Transmittance T =19 % Relaxation  τ=15 ps

 SOC-2000-26-19-10ps-x

SOC:λ=2000nm Absorptance A =26% Transmittance T =19 % Relaxation  τ =10ps

SOC-2000-26-24-10ps-x-thin

SOC:λ=2000nmA =26%T =24%,τ =10psChip thickness 140 µm for fiber butt coupling

SOC-2000-40-28-10ps-x

SOC:λ=2000nm Absorptance A =40% Transmittance T =28% Relaxation  τ =10ps

 

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