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NILT納米壓印模闆,掩膜标準品

NILT納米壓印模闆,掩膜标準品

丹麥NILT供應各類材質(包括矽、石英、聚合物、鎳、PDMS)的納米壓印模闆/掩膜标準品。這些納米壓印模闆/母膜的制造通常是由熱模壓、滾印、注射模塑或紫外壓印等工藝制成,根據功能的不同。NILT納米壓印掩膜可分為抗反射掩膜,增光掩膜,衍射光栅模闆,金屬線栅偏光鏡标準模闆,微針體标準母膜,大面積柱形标準母膜,微圖形标準模闆 (MICRO),亞微米标準模闆等熱壓印模闆,NILT提供大量的微加工掩膜标準品以便快速滿足用戶的需求。 型号:ARSS_B_06……

所屬品牌: 丹麥NILT

應用類型:

産品型号:

負責人:劉工
聯系電話:18823810067 電子郵箱:sales@welloptics.cn

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抗反射掩膜,增光掩膜,衍射光栅模闆,NILT納米壓印模闆、掩膜、标準模闆

 

丹麥NIL TECHNOLOGY Aps (NILT) 公司除了提供納米壓印機外,還供應各類材質,各類功能的壓印模闆,掩膜。

NILT通過納米壓印機的熱模壓、滾印、注射模塑和紫外壓印等不同的工藝,能生産制造出各類不同功能的掩膜/模闆。其中标準的壓印掩膜(模闆)根據功能的不同,分為抗反射掩膜,增光掩膜,衍射光栅模闆,金屬線栅偏光鏡标準模闆,微針體标準母膜,大面積柱形标準母膜,微圖形标準模闆 (MICRO),亞微米标準模闆。

 

标準壓印掩膜(Standard Stamp

 

NIL抗反射掩膜 (ANTI-REFLECTION)

抗反射膜模闆的特點是以大面積為主;适用于可見光範圍和近紅外範圍,反射率可減低到 0.2%

規格

Type B

Type A

Type C

Type NIR

模闆型号

ARSS_B_06

ARSS_A_02

ARSS_C_02

ARSS_NIR_02

材質

Nickel

Nickel

Nickel

Nickel

光栅類型

Hexagonal Array

Hexagonal Array

Hexagonal Array

Hexagonal Array

Pitch

300 nm

250 nm

250 nm

500 nm

Average height

300 nm

350 nm

350 nm

Larger than 700 nm

模闆厚度

300 µm

300 µm

300 µm

300 ?m

模闆尺寸

70 mm x 70 mm

120 mm x 120 mm

250 mm x 250 mm

100 mm x 100 mm

有效面積

50 mm x 50 mm

100 mm x 100mm

200 mm x 200 mm

80 mm x 80 mm

Expected %R PMMA

Less than 0.6%

Less than 0.2%

Less than 0.2%

Less than 0.2%
Less than 0.3%

Pattern polarity

Protrusions

Protrusion

Protrusions

Holes

 

 

NIL衍射光栅模闆 (DIFFRACTION GRATINGS)

衍射光栅采用鎳材質模闆,表面紋路分為線狀或交叉狀兩種,平均深度為250nm,線距為500nm。适合用于:LED & OLED 光的外耦合OUT-COUPLING,将不同光導入波導WAVEGUIDE,光學分束,鐳射感應器,薄膜行業和太陽能光伏等。

特點:

紋路形狀呈正弦曲線SINUSOIDAL ,紋路的參數也不同

80 x 80mm有效面積(模闆面積為100 x 100mm

規格:

規格

Linear Grating

Crossed grating

模闆型号

DG_L500

DG_C500

材質

Nickel

Nickel

Profile shape

Sinusoidal

Sinusoidal

Pitch

500 nm

500 nm

Average depth

250 nm

250 nm

模闆厚度

300 µm

300 µm

模闆尺寸

100 mm x 100 mm

100 mm x 100 mm

有效面積

80 mm x 80 mm

80 mm x 80 mm

 

NIL金屬線栅偏光鏡模闆(WIRE GRID POLARIZER)

一般金屬線栅偏光鏡制造出來後需要經過一定測試,而NILT通過納米壓印生産出金屬線栅偏光鏡的标準模闆,可避免頻繁的測試,免去因測試所造成的成本。标準模闆的線呈槽狀,槽寬、槽距均為50nm,模闆的有效面積可達12 x 12mm, L/S 50nm,模闆複制子模适用于UV或熱壓過程。

規格:

規格

Type A

Type B

模闆型号

WGPSS_A_V1

WGPSS_B_V1

模闆尺寸

2 inch round wafer with flat

2 inch round wafer with flat

材質

Silicon

Silicon

有效面積

12 mm x 12 mm

6 mm x 6 mm

模闆厚度

500 µm +/- 25 µm

500 µm +/- 25 µm

結構類型

50 nm wide grooves with 50 nm spacing

50 nm wide grooves with 50 nm spacing

橫向公差

+/- 10 nm

+/- 10 nm

結構深度

100 nm

100 nm

垂直公差

+/- 15 nm

+/- 15 nm

缺陷密度

Less than 0.01% of patterned area

Less than 0.01% of patterned area

 

NIL微針體标準模闆 (MICRO-NEEDLE STANDARD STAMP)

NILT提供的微針體标準模闆的特點是特點:1. 微針呈正方形排列相隔500um 2. 有效面積達70mm(斜角計)

微針體模闆可經熱壓或鑄造出所需微針形狀,可利用模闆采用鎳片注塑而成。标準模闆造出的微針體有足夠硬度可用于皮膚的不同測試,醫學方面可應用的塗藥式微針或注射式微針。

規格:

規格

Micro-needle - Type A

模闆型号

MNSS_A_V1

材質

Silicon

微針布局

Square array

微針基本尺寸

100 µm x 100 µm

微針高度

200 µm (base to tip)

微針尖端高度

70 µm

微針尖端曲率半徑

~1 µm

微針間距

500 µm

模闆尺寸

100 mm diameter (SEMI standard wafer with a flat)

模闆厚度

525 µm (SEMI standard wafer with a flat)

有效面積

70 mm diagonal square area in the center

 

NIL精工增光掩膜 (LINEAR AND CIRCULAR ENGINEERED DIFFUSERS)

NILT的精工增光掩膜可精準控制增光度,形狀可選擇直線、橢圓形和圓形,定制性強,面積可達 120x 120mm。它的功能在于控制照明元素LIGHTING ELEMENTS和光源LIGHT SOURCES的光量。例如鐳射、LEDLCD的背光源,而同時擁有很高的透光率。

規格

Circular version

Type B

Type D

模闆型号

EDSS_B_C_V1

EDSS_D_C_V1

結構類型

Engineered Diffuser

Engineered Diffuser

輸出類型

Circular diffusion

Ciruclar diffusion

Diffusion angles (FWHM)*

25°

25°

材質

Nickel

Nickel

模闆厚度

300 µm

300 µm

模闆尺寸

70 mm x 70 mm

120 mm x 120 mm

有效面積

50 mm x 50 mm

100 mm - 100 mm

 

NIL大面積柱形标準模闆 (LARGE AREA PILLARS)

大面積柱形标準模闆采用光子晶體結構,是以方形排列光子晶體并分布在41平方米的格子的矽晶圓上。

可選4種不同規格的大面積柱形模闆,結構尺寸在125 – 275nm之間,

規格:

規格

模闆型号

LAPSS_V1

模闆尺寸

2 inch round wafer

材質

Silicon

厚度

525 µm +/- 25 µm

結構尺寸

125 nm, 175 nm, 225 nm, 275 nm (rounded squares)

Structure pitch

200 nm, 300 nm, 400 nm, 500 nm

Protrusion height

100 nm - 300 nm (you decide!)

Tolerance, lateral and vertical dimensions

+/- 15%

缺陷密度

Less than 0.1% of total patterned area

 

NIL亞微米标準模闆 (SUB-MICRO)

亞微米标準模闆的圖形有3種,包括線(500nm)、柱(1um)、孔(2um),是專門為測試亞微米至納米級壓印而設計的,材料可選擇矽或石英,标準尺寸為 20 x 20mm

規格:

模闆型号

MSS_V1

模闆尺寸

20 mm x 20 mm

材質

Silicon

厚度

1 mm

結構尺寸

1 µm - 50 µm

Etch depth

2 µm, 5 µm or 10 µm

Pattern field size

4 mm x 4 mm

交期

3-4 weeks

 

NIL微圖形标準模闆 (MICRO)

微圖形标準模闆有4種圖形,包括直線、橫線、柱狀和孔狀,其尺寸為1um, 5um, 10um, 50um呈現在20mm x 20mm矽晶圓片上。

規格:

模闆型号

SMSS_SIQZ_V1

模闆尺寸

20 mm x 20 mm

材質

Silicon or Fused Silica

厚度

1 mm

結構尺寸

500 nm - 2 µm

Etch depth

1 µm or 2 µm in Silicon. 500 nm in Fused Silica

Pattern field size

5 mm x 5 mm

交期

3-4 weeks

 

微透鏡陣列模闆

NILT提供帶凹面或凸面微透鏡陣列的納米壓印模闆,用于通過熱壓印或注塑成型生産聚合物微透鏡陣列。 材質一般采用熔融石英或鎳制成。 NILT可以獨立的控制鏡頭深度、高度和寬度,因此可以在壓印模闆上制作任何抛物面鏡片形狀。

壓印模闆的直徑可達150mm,鏡頭尺寸從300nm-400μm,還可以提供具有凸透鏡和凹透鏡陣列的聚合物材質複制品。

微透鏡陣列壓印模闆

壓印模闆尺寸

可達150 mm

壓印模闆材質

熔融石英或鎳

微透鏡尺寸

300 nm - 400 µm

SAG

可達 50 µm

Lens arrangements

Hexagonal closed packed

Square and hexagonal, not closed packed

Lenticular

 

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