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IMPATT太赫茲源

IMPATT太赫茲源

IMPATT太赫茲源英文名為THz Source,其使用IMPATT技術,是一種能高效的産生微波和太赫茲波的光學器件。TeraSense推出升級版的IMPATT太赫茲源,升級後的THz源配備了保護隔離器,可顯着提高輸出功率和穩定性。在100 GHz頻率下,配備保護隔離器後,輸出功率可達80~400mW,具有符合人體工程學的設計和易用性。。IMPATT太赫茲源又稱為太赫茲發生器,崩雪二極管。

所屬品牌: 美國TeraSense

應用類型:

産品型号:IMPATT diode@100GHz

負責人:陳工
聯系電話:13418906712 電子郵箱:chenpeng@welloptics.cn

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100GHz-300GHz,窄線寬<1MHz最大功率400mW, IMPATT太赫茲源

 

IMPATT太赫茲源又名崩雪二極管,是一類穩定高效的微波和亞太赫茲波發生器件,其頻率範圍高達100-300GHz,線通常較窄寬<1MHz。美國TeraSense公司現為IMPATT太赫茲源配備了保護隔離器,升級後更突出了其高功率輸出和穩定性。在100 GHz工作頻率下,配備保護隔離器後,輸出功率可達80~400mW。除了高輸出功率之外,IMPATT太赫茲源還具有精巧緊湊的人體工學設計,性價比高和壽命長的特點。IMPATT具有非常窄的工作頻率線寬,所以二極管内部尺寸必須根據響應的頻率來設計。TeraSense還可提供THz源的衰減器和開關部分。

 

IMPATT二極管技術:

IMPATT 二極管技術在1958年就貝爾實驗室的W. Т. Read最早提出,該技術能在幾GHz到幾百GHz的頻率範圍内産生亞太赫茲波。IMPATT二極管英文全稱為:“Impact ionization Avalanche Transit-Time二極管”,也稱為雪崩二極管,通常用于高頻微波器件,指的是一類高功率半導體二極管。

與其他類型的二極管發電機相比,IMPATT二極管最顯著的特點是高功率且供電穩定,使用壽命長。IMPATT diode是一種具有負阻特性的周态微波二極管,其特性系由薄基片中的碰撞雪崩擊穿效應和載流子渡越時間效應結合産生,基片通常由砷化镓或矽材料制成。當将這種二極管安裝在可調諧腔體或波導中時,由載流子渡越時間引起的負阻被用作振蕩器以産生微波振蕩。


IMPATT二極管技術特點:

大功率(~100mW

供電穩定,固定頻率

體積小,低成本,使用壽命長

 

IMPATT太赫茲源的産品特點:

IMPATT技術

輸出頻率:100GHz140GHz200GHz300GHz

配有保護隔離器,增強了穩定性和輸出功率,高功率輸出:10mW-400mW

窄線寬<1MHz,調制上升沿時間1us

       高性價比,元件尺寸精巧緊湊


IMPATT太赫茲源(100GHZ 300GHZ)型号參數:

型号

IMPATT diode@100GHz

IMPATT diode@140GHz

IMPATT diode@200GHz

IMPATT diode@300GHz

操作頻率

100GHz

140GHz

200GHz

300GHz

TTL調制

1μs上升或下降時間

輸出功率

~80/180/400 mW

~30/90 mW

~10/50 mW

~10/25 mW

天線/法蘭

嚴格固定/WR-8 WR-10

嚴格固定/WR-6

嚴格固定/WR

嚴格固定/WR

保護隔離器

Protective Isolator

Protective Isolator

-

-

頻率線寬

<1MHz

工作電壓

15-16v

工作電流

110-120mA

可選模塊

TTL調制模塊,1us上升沿時間  ;  錐形天線  ;  高功率模塊>40mw

 

 

 

 

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